半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量SEEBECK COEFFICIENT AND ELECTRICAL RESISTIVITY OF SILICON
赵伟,侯清润,陈宜保,何元金
摘要(Abstract):
本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量,与Hall系数和电阻率测量实验相对应,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征.由Seebeck系数的正负号确定载流子的类型是P型还是N型.半导体内有两种导电机制:杂质导电和本征导电.在杂质导电区,可以确定晶格散射因子;在本征导电区,可以确定硅的禁带宽度.
关键词(KeyWords): 半导体硅;Seebeck系数;电阻率
基金项目(Foundation):
作者(Author): 赵伟,侯清润,陈宜保,何元金
参考文献(References):
- [1]卢玉峰,赵新兵,陈海燕,倪华良,李红星.Fe0.92Mn0.08Six半导体热电性能的研究.功能材料,2003,34(6):693
- [2]刘晓虎,赵新兵,倪华良,陈海燕.快速凝固和热压高锰硅的微结构和热电性能.功能材料与器件学报,2004,10:231
- [3]Z.M.Wang,Y.D.Wu,Y.J.He.Seebeck coefficient of Mn-Si materials prepared by spark plasma sintering.Int.J.Mod.Phys.B,2004,18:2279
- [4]Q.R.Hou,Z.M.Wang,Y.J.He.Thermoelectric propertiesof manganese silicide fil ms.Appl.Phys.A,2005,80:1807
- [5]Geballe.T.H,Hull.G.W.,Seebeck effect in Silicon.Phys.Rev.,1955,98:940
- [6]刘恩科,朱秉升,罗晋生等.半导体物理学.北京:国防工业出版社,1994
- [7]Fulkerson W.,Moore J.P.,Williams R.K.et al.Thermal conductivity,electrical resistivity,and Seebeck coefficient of silicon from100to1300K.Phys.Rev.,B,1968,167:765
- [8]Morin F.J.,Maita J.P..Electrical properties of silicon con-taining arsenic and boron.Phys.Rev.,1954,96:28