物理与工程

2022, v.32;No.207(01) 169-174

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掺杂对MoS2吸附H2的电子结构影响
EFFECT OF DOPING ON ELECTRONIC STRUCTURE OF MOS2 WITH H2 ADSORPTION

姜艳,刘贵立,王天爽,韩晶晶,王佼,沈杰

摘要(Abstract):

本文应用Materials Studio软件对MoS_2分别进行了Si、O、N原子的替换掺杂,以探究掺杂和吸附对MoS_2材料的电子结构的影响。研究发现:稳定性由强到弱依次为:O-MoS2-H_2、MoS_2-H_2、N-MoS_2-H_2、Si-MoS_2-H_2,即O-MoS_2-H_2的形成能最低,为相对最稳定的结构;掺杂后体系的成键形式更有可能为离子键;吸附和掺杂均能影响MoS_2电子结构,MoS_2-H_2、O-MoS_2-H_2、Si-MoS_2-H_2能隙值处于0~2.0eV之间,体系表现为半导体性,N-MoS_2-H_2能隙值为0eV,体系表现为金属性;掺杂体系中总态密度主要是S、Mo态电子贡献,掺杂原子相比S、Mo态电子贡献很少,且O、N、Si态电子贡献程度依次降低。

关键词(KeyWords): 掺杂;吸附;MoS_2;电子结构

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 北京市科技一般项目(KM202010853001);; 辽宁省教育厅项目(LZGD2019003)

作者(Author): 姜艳,刘贵立,王天爽,韩晶晶,王佼,沈杰

参考文献(References):

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