樊启勇,侯清润

• 1:清华大学工程物理系
• 2:清华大学物理系

摘要(Abstract)：

半导体PN结具有电容的性质.在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比.实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系.由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响.随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值.如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系.

关键词(KeyWords)： PN结电容;正向直流偏压;扩散电容;势垒电容;交流信号相位

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 樊启勇,侯清润

参考文献(References)：

• [1]茅卫红,侯清润,陈宜保等.PN结对交流信号相位的影响.物理实验,2003,23(8):6～8
• [2]侯清润,张慧云,王波等.PN结对交流信号相位的影响(续).物理实验,2005,25(11):34～36
• [3]吴思诚,王祖铨.近代物理实验.北京:北京大学出版社,1999
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