罗坚义,李宇东,张园园,林丽娜,黄景诚

• 1:五邑大学应用物理与材料学院

摘要(Abstract)：

霍尔效应被应用于测定半导体的载流子种类(电子或空穴)时,空穴的移动在本质上往往被理解为束缚电子的移动,那么同样是电子的移动,却能产生相反的霍尔电压,引发学习者在理解上的困惑。本论文首先阐述了这个问题的由来,并介绍了利用电子有效质量是如何有效解决这个矛盾的观点;最后,笔者从量子力学的角度出发,运用半导体中电子和空穴共有化运动的思想,试图用更加通俗的方式来理解这个问题,以便于学习者能更加深刻、全面地理解霍尔效应和霍尔电压的由来。

关键词(KeyWords)： 霍尔电压;半导体载流子;有效质量;共有化运动

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 广东省自然科学杰出青年基金(2015A030306031);; 国家自然科学基金(51402218);; 广东高校创新团队建设项目(2015KCXTD025);; 五邑大学青年基金项目(2013zk05,2014td01);五邑大学教研教改项目(YJS-JGXM-14-05,JG2013013)

作者(Author): 罗坚义,李宇东,张园园,林丽娜,黄景诚

参考文献(References)：

• [1]张三慧.大学物理学[M].3版(B版).北京:清华大学出版社,2009:368-370.
• [2]刘恩科.半导体物理[M].4版.北京:国防工业出版社,2002:18-20.
• [3]赵庆利,马连喜.霍尔效应中的空穴[J].物理通报,2008(5):14-16.Zhao Qingli,Ma Lianxi.Holes in Hall effect[J].Physics Bulletin,2008,2008(5):14-16.(in Chinese)
• [4]马连喜.再论空穴和霍尔效应[J].物理通报,2010(5):67-67.Ma Lianxi.Further discussion on holes and Hall effect[J].Physics Bulletin,2010,2010(5):67-67.(in Chinese)
• [5]潘留仙,徐勇.利用霍尔效应区分P型与N型半导体的理论诠释[J].广西物理,1996,17(4):4-7.Pan Liuxian,Xu Yong.Theoretical interpretation of distinguishing between P-type and N-type semiconductor using Hall effect[J].Guangxi Physics,1996,17(4):4-7.(in Chinese)
• [6]刘凤艳,丁晓红,杨红卫,等.半导体的霍尔电压[J].物理与工程,2015,25(3):57-59.Liu Fengyan,Ding Xiaohong,Yang Hongwei,et.Hall voltage of semiconductor[J].Physics and Engineering,2015,25(3):57-59.(in Chinese)
• [7]林鸿生.从经典物理角度看半导体中的电子和空穴[J].物理,1982,11(2):119-123.Lin Hongsheng.A view from classical physics to research eletron and hole pairs in semiconductor[J].Physics,1982,11(2):119-123.(in Chinese)
• [8]黄昆,韩汝琦.固体物理学[M].北京:高等教育出版社,1988:250-255.