物理与工程

2017, v.27;No.180(04) 53-56

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半导体中电子和空穴的共有化运动与霍尔电压
COMMUNIZATION MOVEMENT OF ELECTRONS AND HOLES AND HALL VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR

罗坚义;李宇东;张园园;林丽娜;黄景诚;

摘要(Abstract):

霍尔效应被应用于测定半导体的载流子种类(电子或空穴)时,空穴的移动在本质上往往被理解为束缚电子的移动,那么同样是电子的移动,却能产生相反的霍尔电压,引发学习者在理解上的困惑。本论文首先阐述了这个问题的由来,并介绍了利用电子有效质量是如何有效解决这个矛盾的观点;最后,笔者从量子力学的角度出发,运用半导体中电子和空穴共有化运动的思想,试图用更加通俗的方式来理解这个问题,以便于学习者能更加深刻、全面地理解霍尔效应和霍尔电压的由来。

关键词(KeyWords): 霍尔电压;半导体载流子;有效质量;共有化运动

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 广东省自然科学杰出青年基金(2015A030306031);; 国家自然科学基金(51402218);; 广东高校创新团队建设项目(2015KCXTD025);; 五邑大学青年基金项目(2013zk05,2014td01);五邑大学教研教改项目(YJS-JGXM-14-05,JG2013013)

作者(Author): 罗坚义;李宇东;张园园;林丽娜;黄景诚;

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