硅基红外探测器的研究进展DEVELOPMENT OF SILICON BASED INFRARED DETECTOR
杨红卫,吴实
摘要(Abstract):
由于易与读出电路集成在一起 ,硅基红外探测器成为一研究热点 .文章评述了近年来取得较大进展的几种硅基红外探测器 ,主要包括非本征硅 ,GexSi1-x/Si异质结 ,PtSi及Si基HgCdTe红外探测器件 .展望了硅基红外探测器的发展前景
关键词(KeyWords): 硅基;红外探测器;阵列
基金项目(Foundation):
作者(Author): 杨红卫,吴实
参考文献(References):
- [1] 程开富.硅基红外焦平面阵列技术的新进展.半导体情报,1998.Vol.1.p.29.
- [2] 王迅,叶令.新构思硅红外探测器.半导体学报,1995,Vol.7,p.503.
- [3] PearsallTPetal.Electron.Lett.,1988,24:685.
- [4] 梁春广.硅微电子大树上的新枝—SiGe/Si器件和电路.半导体情报,1993,Vol.30(2):1.
- [5] 李国正,张浩.Si0.1Ge0.9/Si近红外探测器的结构设计与试验.半导体光电,1995,Vol.16(1):53~56.
- [6] ShepherdFD ,YangAC .SiliconSchottkyretinasforinfraredimaging.IEDM ,1973;310~313.
- [7] KosonockyWF .State of the artinSchottky barrierIRimagesensors.SPIE ,1992.1685:2~19.
- [8] 杨亚生.PtSi红外焦平面阵列技术的发展概况.激光与红外,2000,Vol.30(1):48~50.
- [9] 李毅,易新建.红外与毫米波学报,2000,Vol.193(6):197~200.
- [10] 李美成,赵连城.硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展.半导体杂志,1999,Vol.24(4):23~30.
- [11] KenZ .HgCdTeonGaAs/SiforMidWavelenthIn fraredFocalArrays.Appl.Phys.Lett.,1990;56(13):1207~1209.
- [12] JohnsonSM ,vigilJA ,JamesJB .MOCVDGrowthCdZnTe/GaAs/SisubstrateforLargeArea.HgCdTeIRFPAS.JournalofElectronicMaterials,1993;22(8):835~842.
- [13] JohnsonSM .DirectGrowthofCdZnTe/SisubstratesforLargeArrays.JournalofElectronicMaterials,1993;22(5):467~473.
- [14] LyonTJ ,RajavelRD ,JensenJE ,etal.J .Elec tron.Mater.,1996,25:1341.
- [15] LyonTJ,RajavelRD ,VigilJA ,etal.J.Electron.Mater.,1998,27:550.