刘凤艳,丁晓红,杨红卫,韩守振

• 1:北京工业大学应用数理学院

摘要(Abstract)：

在霍尔效应实验中,当通过N型和P型半导体中的电流和外加磁场都不变时,这两类半导体中霍尔电压的方向相反.这一现象一方面可以解释为N型和P型半导体中多数载流子种类不同,分别为带负电的电子和带正电的空穴;另一方面也可以理解为,不管是N型还是P型半导体,参与导电的载流子都是电子,只是因为不同类型的半导体中电子与晶格的相互作用不同,或者说是包含了与晶格相互作用在内的电子的有效质量不同,导致了霍尔电压的反向.

关键词(KeyWords)： 霍尔电压;有效质量;半导体;空穴

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 刘凤艳,丁晓红,杨红卫,韩守振

参考文献(References)：

• [1] 张三慧.大学物理学[M].北京:清华大学出版社,2008.
• [2] 陈信义.大学物理教程[M].北京:清华大学出版社,2008.
• [3] 邓金祥.刘国庆,原安娟,等.大学物理实验[M].北京:北京工业大学出版社,2013.
• [4] 赵新闻,杨兵初.霍尔效应实验对学生科研能力培养初探[J].物理与工程,2013,23(6):35-37.
• [5] 赵凯华,陈熙谋.电磁学[M].北京:高等教育出版社,2003.
• [6] 基泰尔.固体物理导论[M].项金钟,吴兴惠,译.北京:化学工业出版社,2005.
• [7] 阎守胜.固体物理基础[M].北京:北京大学出版社,2003.