物理与工程

2017, v.27;No.182(06) 4-19

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第三代半导体Ⅲ族氮化物的物理与工程——从基础物理到产业发展的典范
THE PHYSICS AND ENGINEERING IN Ⅲ-NITRIDE SEMICONDUCTORS——A SUCCESSFUL MODEL OF COMBINATION OF BASIC RESEARCH AND COMMERCIALIZATION

荣新;李顺峰;葛惟昆;

摘要(Abstract):

以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物属于宽禁带半导体,即通常所谓"第三代"半导体材料。作为Si、Ge以及传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之后的新一代半导体材料,GaN具有更大的禁带宽度、更高的击穿电场、更稳定的物理化学性质等优异特性,已经成为半导体研究极为重要的领域和国家重大研究方向。尽管Ⅲ族氮化物的晶体质量与传统半导体材料相比仍然有很大差距,但并不妨碍Ⅲ族氮化物及其量子结构在光电器件及电子器件中的广泛应用,围绕GaN及其他相关氮化物半导体的研究和开发,在物理与工程方面都具有极为特殊的意义,是基础物理研究和产业化应用结合的典范。

关键词(KeyWords): Ⅲ族氮化物;发光二极管;半导体技术;产业化;物理与工程的结合

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金项目(批准号:61376060,61674010,61704003);; 广东省科技计划项目(批准号:2014B090905002,2014A050503005);; 东莞市国际合作项目(批准号:2013508102006)

作者(Author): 荣新;李顺峰;葛惟昆;

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