物理与工程

2021, v.31;No.206(06) 50-56+62

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基于MOS场效应晶体管的高精度可变电阻器
HIGH PRECISION VARIABLE RESISTOR BASED ON MOSFET

霍显杰,田力学,李永刚,李颖弢

摘要(Abstract):

本文介绍了一种有源可变电阻器的实现方法,该电阻器使用MOS场效应晶体管作为开关器件,通过控制MOS场效应晶体管是否导通来控制与之并联的电阻是否接入电路,电阻逐个使用2~nΩ。基于电阻分压定律,微控制器(MCU)控制电压控制的电压源(VCVS)的电压来等效模拟电阻分压以达到模拟电阻的目的,本设计引入了比例积分PI控制,很好地消除了误差电阻的影响,提高了电阻精度,且具有良好的抗干扰性能和温度补偿性能。相较已有的一些变阻器,该变阻器具有体积小、精度高、易集成和电阻连续可控等优点,可以广泛应用于电路设计、通信工程、控制工程等领域,在大学物理实验中亦有广泛的用途。

关键词(KeyWords): MOS场效应晶体管;可变电阻;比例积分控制(PI控制);微控制器(MCU);电压控制的电压源(VCVS)

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 甘肃省科技计划项目(20JR5RA307);; 甘肃省委组织部甘肃省重点人才项目

作者(Author): 霍显杰,田力学,李永刚,李颖弢

参考文献(References):

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